参数资料
型号: SBR660CTL-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 3/5页
文件大小: 194K
描述: DIODE SBR 60V 3A DPAK
标准包装: 1
系列: SBR®
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 570mV @ 3A
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 500µA @ 60V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 3A
电压 - (Vr)(最大): 60V
二极管类型: 超级势垒
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 1 对共阴极
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 标准包装
其它名称: SBR660CTL-13DIDKR
SBR660CTL
Document number: DS31377 Rev. 6 - 2
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.
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www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
SBR660CTL
0102030405060
0.1
1
10
100
1,000
10,000
100,000
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(μA)
R
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Figure 3 Typical Reverse Characteristics
T = 25°CA
T = 125°CA
T = 150°CA
10
100
1,000
10,000
0.1 1 10 100
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Figure 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
C
,
T
O
T
AL
C
A
P
A
C
I
T
AN
C
E (pF)
T
f = 1MHz
25 50 75 100 125 150 175
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Figure 5 Forward Current Derating Curve
0
1
2
3
4
5
6
I, AVE
R
A
G
E F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
EN
T
(A)
F(AV)
R = R??JA JC
Per Element
R = R??JA JC
Total Device
R = 74°C/W?JA
Per Element
0
25
50
75
100
125
150
0 6 12 18 24 30 36 42 48 54 60
Figure 6 Operating Temperature Derating
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
T , DERATED AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
相关PDF资料
PDF描述
SBR660CTT4G DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
SBS822-TL-H DIODE SCHOTTKY 1A 20V EMH8
SC03-12EWA DISPLAY 0.3" SGL 625NM RED
SC03-12GWA DISPLAY 0.3" SGL 568NM GRN
SC03-12SRWA DISPLAY 0.3" SGL 640NM RED
相关代理商/技术参数
参数描述
SBR660CTT4G 功能描述:肖特基二极管与整流器 DPAK 2W SMT RECT PBF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
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