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参数资料
| 型号： | SBR80520LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 146K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 20V 0.5A SOD-123 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 500mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 385mV @ 500mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 250µA @ 20V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
       MBR0520LT1G, SBR80520LT1G, MBR0520LT3G, SBR80520LT3G http://onsemi.com 3 I R , REVERSE CURRENT ( ? 1 0.1 0.01 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS ) TJ = 100 ?C 75?C 25?C -?C vF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS) Figure 1. Typical Forward Voltage 10,000 1000 100 0101520255 75?C VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 2. Typical Reverse Current 200 0 0 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 3. Typical Capacitance 5101520250.01 0101520255 150 100 C, CAPACITANCE (pF) 50 10 1 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 4. Typical Reverse Current 100 0.1 -?C TJ = + ?C TJ = 100 ?C I R , REVERSE CURRENT ( ? 1 0.875 0 60 LEAD TEMPERATURE (?C) Figure 5. Current Derating (Lead) 67 0.75 0.625 0.5 0.125 0.25 0.375 DC PK IAV = = SQUARE WAVE 10 74 81 88 AVERAGE FORWARD CURRENT (AMP) 0.35 0.315 0 0 IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMP) Figure 6. Power Dissipation 0.125 0.28 0.245 0.21 0.105 0.14 0.175 DC SQUARE WAVE 5 0 10 0.035 0.07 0.25 0.375 0.5 0.625 0.75 0.875 1 P F(AV) , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATT) 95 109 116 123 130102 TJ = 125 ?C IPK IAV 5 I |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR8060 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY 60V 80A 2PIN DO-203AB - Bulk |
| SBR8060R | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SCHOTTKY 60V 80A 2PIN DO-203AB - Bulk |
| SBR8100 | 制造商:DAESAN 制造商全称:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR820 | 制造商:DAESAN 制造商全称:Daesan Electronics Corp. 功能描述:CURRENT 8.0 AMPERES |
| SBR820100CT | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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