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参数资料
| 型号： | SBS822-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 196K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1A 20V EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 460mV @ 1A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 110µA @ 10V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 1A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 20V |
| 反向恢复时间(trr)： | 10ns |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-SMD（5引线），扁引线 |
| 供应商设备封装： | 5-MCPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SBS822
No. A1504-2/4
Electrical Characteristics
at Ta=25°C (Value per element)
Parameter Symbol Conditions
Ratings
Unit
min typ max
Reverse Voltage VR
IR=0.5mA 20 V
Forward Voltage
VF1IF=0.5A 0.34 0.39 V
VF2IF=0.7A 0.37 0.42 V
VF3IF=1A 0.41 0.46 V
Reverse Current IR
VR=10V 110
μA
Interterminal Capacitance C VR=10V, f=1MHz 19 pF
Reverse Recovery Time trr
IF=IR=100mA, See speci?
ed Test Circuit. 10 ns
Thermal Resistance Rth(j-a)
When mounted on ceramic substrate (1000mm2×0.8mm)
130 °C / W
trr
Test Circuit
Duty≤10%
50Ω
100Ω
10Ω
--5V
trr
10μs
100mA
100mA
10mA
F -- V
Ta
-- IO
Ambient Temperature, Ta --
°
C
Average Output Current, IO --
A
-- V
C -- V
R
R
Reverse Voltage, VR
-- V
Interterminal Capacitance, C
-- pF
0
0.4
1.2
0.8
1.6
0.2
1.0
0.6
1.4
0
25
50
125
100
75
150
IT14725
(5)
(1)
(2)
(4)
(3)
0.1 1.0 1023 57 23 5 372
100
10
2
3
5
2
7
7
IT14726
f=1MHz
(1)Rectangular wave θ=60°
(2)Rectangular wave θ=120°
(3)Rectangular wave θ=180°
(4)Sine wave θ=180°
(5)DC
Forward Voltage, V
Forward Current, I
F
-- A
IF -- VF
Reverse Voltage, V
IR -- VR
Reverse Current, I
R
--
μ
A
0.001
0
IT14723
IT14724
2
3
5
7
2
3
5
0.01
7
2
3
5
0.1
0.5
0.2 0.40.3
0.1
1E-02
0
25
10 2015
5
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+05
1E+04
1E+03
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
0
C°
--25
C°
Ta=125
°C
100
°C
75
°C
50
°C
25
°C
0°C
--25°C
50
°C
100
°C
7
2
1.0
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