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参数资料
| 型号： | SBT350-04L |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 35 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | TO-3PB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | SBT350-04L |
SBT350-04L
No.7802-1/3
Applications
High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).
Features
Guaranteed up to Tj=150
°C.
Low forward voltage (VF max=0.55V).
Fast reverse recovery time.
Low switching noise.
High reliability due to highly reliable planar structure.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
40
V
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage
VRSM
44
V
Average Output Current
IO
50Hz resistive load, Sine wave Tc=118
°C35
A
Surge Forward Current
IFSM
50Hz sine wave, 1 cycle
200
A
Junction Temperature
Tj
--55 to +150
°C
Storage Temperature
Tstg
--55 to +150
°C
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Reverse Voltage
VR
IR=5mA, Tj=25°C*
40
V
Forward Voltage
VF
IF=15A, Tj=25°C*
0.55
V
Reverse Current
IR
VR=20V, Tj=25°C*
0.5
mA
Interterminal Capacitance
C
VR=10V, Tj=25°C*
800
pF
Thermal Resistance
Rth(j-c)
Junction-Case : Smoothed DC
1.2
°C / W
Note) * : Value per element
Ordering number : ENN7802
62405SD MS IM TB-00001566
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
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exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
SBT350-04L
Schottky Barrier Diode (Twin Type Cathode Common)
40V, 35A Rectifier
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBT350-04R | 35 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT350-10L | 35 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT700-06RH | 70 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT700-06RH | 70 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBT80-06J | 4 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBT350-04R | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V 35A TO-3PML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBT350-06J | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 35A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBT350-06L | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common) 60V, 35A Rectifier |
| SBT350-10L | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 35A TO-3PB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBT350-10R | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:DIODE SCH ARR 100V 35A SC-93 |
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