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参数资料
| 型号： | SBT80-10JS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | SBT80-10JS |
SBT80-10JS
No. A0501-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7525-001
Anode
Cathode
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
SANYO : TO-220ML(LS)
0.75
0.7
12 3
10.0
3.5
7.2
16.0
14.0
3.6
1.2
1.6
2.55
4.5
2.8
2.4
3.2
0
1.0
10
2.5
2.0
1.0
0.5
1.5
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
2
3
0.01
0.1
IF -- VF
IT08511
0
10
1.0
3
100
7
5
7
3
2
5
7
3
2
5
20
40
60
80
100
120
IR -- VR
(3)
(1)
0
8
10
14
12
6
2
4
2
110
69
8
7
45
3
PF(AV) -- IO
IT08513
(4)
(3)
(1)
0
4.0
3.0
5.0
7.0
6.0
2.0
1.0
3.5
2.5
4.5
6.5
5.5
1.5
0.5
100
120
80
60
40
20
PR(AV) -- VRM
(2)
(4)
(2)
Tj=150
°C
25°C
IT08512
IT08514
Tj=150
°C max
150°
C typ
125
°C typ
100
°C typ
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
Reverse Voltage, VR -- V
Reverse
Current,
I
R
--
mA
Peak Reverse Voltage, VRM -- V
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
Average Output Current, IO -- A
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
Represented by max
180
°
360
°
θ
360
°
180
°
360
°
VR
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180
°
Sine wave
θ
360
°
VR
Rectangular
wave
Rectangular
wave
PR max at Tj=150°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBT80-10J | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBU4G | 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SBYV28-100 | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SC060H045S5B | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SC060H045S5F | 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SBT80-10Y | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common) 100V, 8A Rectifier |
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| SBT80-10Y-E | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC SMP 8A 100V SHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBT80S | 制造商:EIC 制造商全称:EIC discrete Semiconductors 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES |
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