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参数资料
| 型号： | SBYV26C/4 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
| 封装： | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 330K |
| 代理商： | SBYV26C/4 |
SBYV26C
Document Number 88735
24-Oct-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
InstantaneousForward Voltage (V)
0.01
0.1
10
100
1
Instantaneo
u
sF
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
TJ = 165 °C
TJ = 125 °C
TJ = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1% Duty Cycle
020
60
40
100
80
0.01
0.001
0.1
10
1
100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
TJ = 125 °C
TJ = 165 °C
TJ = 25 °C
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
0.1
1
10
100
10
1
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
t, Pulse Duration (sec.)
T
ransient
T
her
mal
Impedance
(°
C
/W
)
0.01
0.1
1
10
100
10
1
0.107 (2.7)
0.080 (2.0)
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
1.0 (25.4)
MIN.
0.205 (5.2)
0.160 (4.1)
DIA.
DO-204AL (DO-41)
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