参数资料
型号: SCH1331-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 84 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 405pF @ 6V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 6-SCH
包装: 带卷 (TR)
SCH1331
--3
ID -- VDS
--4
ID -- VGS
VDS= --6V
--3
--2
V GS= --1
.5V
--2
--1
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12598
Ta=25°C
200
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12599
VGS
--1.8V
250
200
--0.8A
150
=
, I D=
--0.
3A
--0.8A
--2.5V
V GS=
, I = --
= --4.5V D
150
100
ID= --0.3A
--1.5A
100
V GS
, I D=
1.5A
50
50
0
0
--2
--4
--6
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT14897
VDS= --6V
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14898
5
3
2
a=
5 °
3
2
T
--2
C
75
° C
--1.0
7
5
3
2
° C
1.0
7
5
3
2
25
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
7
5
VDD= --6V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12602
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12603
f=1MHz
3
VGS= --4.5V
7
2
100
5
Ciss
7
5
3
2
td(off)
tf
3
2
Coss
10
7
tr
td(on)
100
Crss
5
3
7
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT12604
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12605
No. A1530-3/7
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