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参数资料
| 型号： | SCS110AGC |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 436K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC |
| 产品培训模块： | Silicon Carbide |
| 特色产品： | Silicon Carbide Diodes |
| 标准包装： | 1,000 |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 10A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.5V @ 10A |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 600V |
| 电容@ Vr, F： | 430pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
        Data Sheet www.rohm.com ? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. SiC Schottky Barrier Diode SCS110AG ?Applications ?Dimensions (Unit : mm) ?Structure Switching power supply ?Features 1)Shorter recovery time 2)Reduced temperature dependence 3)High-speed switching possible ?Construction Silicon carbide epitaxial planer type ?Absolute maximum ratings (Tj=25°C) Symbol UnitLimits VRM V VR V IF A A A IFRM A Total power disspation PD W Tj °C175 Tstg °C?55 to ?175 Junction to case Rth(j-c) °C / W1.8 ?Electrical characteristics (Tj=25°C) Symbol Min. Typ. Max. Unit VDC 600 - - V IR=0.2mA -1.51.7 VIF=10A,Tj=25°C -1.82- VIF=10A,Tj=175°C - 2 200 μAVR=600V,Tj=25°C -40- μAVR=600V,Tj=175°C - 430 - pF VR=1V,f=1MHz -47- pFVR=600V,f=1MHz Qc - 16 - nC VR=400V,di/dt=350A/μs tc - 15 - ns VR=400V,di/dt=350A/μs IR Total capacitance C Total capacitive charge Switching time (*1)Tc=134°C (*2)PW=8.3ms sinusoidal,Tj=25°C (*3)PW=10?s square,Tj=25°C (*4)Tc=100°C,Tj=150°C,Duty cycle=10% (*5)Tc=25°C Reverse current Conditions DC blocking voltage Parameter Reverse voltage (repetitive peak) 600 Reverse voltage (DC) 600 Continuous forward current 10*1 40*2 160*3 Surge no repetitive forward current IFSM Repetitive peak forward current 42*4 83*5 Junction temperature Range of storage temperature Parameter Forward voltage VF ROHM : ＴO-220AC 1/3 2012.09 - Rev.C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SCS112AGC | DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220AC |
| SCS120AGC | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO220AC |
| SD101A-A | DIODE SCHOTTKY 60V 400MW DO-35 |
| SD101BW-7-F | DIODE SCHOTTKY 250MW 50V SOD123 |
| SD101CWS-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 200MW SOD323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SCS110AMC | 功能描述:肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 600V 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SCS-110-G-2 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 10 POS 2.54MM ST - Bulk |
| SCS110KE2C | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SiC SBD 1200V 10A RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SCS110KGC | 功能描述:肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diodes Mounting RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SCS-110-T-12 | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 10 POS 2.54MM ST - Bulk |
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