参数资料
型号: SCS110AGC
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 2/4页
文件大小: 436K
描述: DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC
产品培训模块: Silicon Carbide
特色产品: Silicon Carbide Diodes
标准包装: 1,000
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - (Vr)(最大): 600V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.5V @ 10A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间(trr): 0ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 200µA @ 600V
电容@ Vr, F: 430pF @ 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商设备封装: TO-220AC
包装: 管件
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
DataSheet
SCS110AG
 
?Electrical characteristic curves
(Ta=25
?C)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 200 400 600
REVERSE CURRENT (
μ
A)
REVERSE VOLTAGE: VR
(V)
Ta= 125℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
Ta= 175℃
1
10
100
1,000
0.01 0.1 1 10 100 1000
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS : Ct [pF]
REVERSE VOLTAGE : VR
[V]
Ta=25℃
f=1MHz
0
2
4
6
8
10
12
14
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
FORWARD CURRENT: I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Ta= 125℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
pulsed
Ta= 175℃
Fig.2 VF-IF
Characteristics
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
FORWARD CURRENT: I
F
(A)
FORWARD VOLTAGE : VF
(V)
Ta= 125℃
Ta= 75℃
Ta=-25℃
Ta= 25℃
pulsed
Ta= 175℃
Fig.1 VF-IF
Characteristics
Fig.3 VR-IR
Characteristics
Fig.4 VR-Ct Characteristics
Fig.5 Thermal Resistance vs Pulse Width
Fig.6 Power Dissipation
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 25 50 75 100 125 150 175
POWER DISSIPATION (W)
CASE TEMPERATURE : Tc (℃)
0.01
0.1
1
10
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
THERMAL RESISTANCE :
/W
Pulse width : Pw
s )
Ta=25℃
Single Pulse
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2012.09 - Rev.C
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参数描述
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SCS-110-G-2 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 10 POS 2.54MM ST - Bulk
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SCS110KGC 功能描述:肖特基二极管与整流器 SiC Schottky Barrier Diodes Mounting RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
SCS-110-T-12 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 10 POS 2.54MM ST - Bulk