| 型号: | SD10150YS |
| 元件分类: | 整流器 |
| 英文描述: | 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252 |
| 封装: | PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数: | 1/2页 |
| 文件大小: | 425K |
| 代理商: | SD10150YS |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD106WS-GS18 | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SD107WS-TP | 0.1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SD1100C04CPBF | 1400 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD1100C12CPBF | 1400 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD1100C20CPBF | 1400 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD10150YT | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
| SD10-151 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Inductor Power Shielded Wirewound 150uH 20% 100KHz Ferrite 200mA 4.15Ohm DCR 2020 T/R 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Ind Power Shielded Wirewound 150uH 20% 100KHz Ferrite 200mA 2020 T/R |
| SD10-151-R | 功能描述:固定电感器 150uH 0.195A 4.15ohms RoHS:否 制造商:AVX 电感:10 uH 容差:20 % 最大直流电流:1 A 最大直流电阻:0.075 Ohms 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 自谐振频率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:6.6 mm x 4.45 mm |
| SD1018 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| SD1018-06 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |