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参数资料
型号： SD1100C25C
厂商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类： 整流器
英文描述： 1100 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装： ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2
文件页数： 5/8页
文件大小： 161K
代理商： SD1100C25C
Document Number: 93535
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 14-May-08
5
SD1100C..C Series
Standard Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
1400 A
Vishay High Power Products
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 15 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 16 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 17 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 18 - Forward Voltage Drop Characteristics
300 0
400 0
500 0
600 0
700 0
800 0
900 0
100 0 0
110 0 0
120 0 0
0
1
0
1
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C y cle Cu rre nt Pulse s (N )
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
In it ia l T = 1 8 0 °C
@ 60 H z 0.008 3 s
@ 50 H z 0.010 0 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S urg e .
RRM
SD 1 100C ..C S e rie s
(4 0 0 V t o 2 0 0 0 V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
0.01
0.1
1
Puls e Train Dura tion (s)
P
e
a
kHal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Versus Pulse Tr ain Duration .
In itial T = 1 80 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
J
Maxim um Non Repetitive Surge Current
SD1 100C..C Series
(4 00V to 20 00V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
0
1
0
1
N um b er O f Eq u a l A m p litud e H a lf Cy cle C urrent P uls es (N )
P
e
a
k
Hal
f
S
in
e
W
a
v
e
F
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rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150°C
@ 60 Hz 0.00 83 s
@ 50 Hz 0.01 00 s
J
SD 1100 C..C Ser ies
(250 0V to 32 00V)
At An y Rated Load Con dition And W ith
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Hal
f
S
in
e
W
a
ve
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 150 °C
No V oltage Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
Versus Pulse Tr ain Duration.
SD 1100C..C Series
(250 0V to 320 0V)
M aximum Non Repet itive Surge Current
100
10 0 0
1000 0
0.5
1
1 .5
2
2 .5
3
3 .5
4
T = 25°C
J
Instan ta neous Forward V oltage (V)
In
s
tan
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
T = 180°C
J
SD11 00 C..C Series
(4 00V to 200 0V )
100
1000
10000
0.5
1
1.5
2
2. 5
3
3.5
4
4.5
5
T = 25°C
J
In stantan eous Forward Voltage (V)
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
ur
re
n
t
(A
)
T = 15 0°C
J
SD 1100 C..C Series
(250 0V to 32 00V )
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PDF描述
SD1100C30C 1100 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C32C 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD1100C08LPBF 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD1100C32LPBF 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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