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参数资料
| 型号： | SD1100C32LPBF |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C32LPBF |
SD1100C..L SERIES
STANDARD RECOVERY DIODES
1170A
1
Hockey Puk Version
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Features
Wide current range
High voltage ratings up to 3200V
High surge current capabilities
Diffused junction
Hockey Puk version
Case style DO-200AB (B-PUK)
Typical Applications
Converters
Power supplies
Machine tool controls
High power drives
Medium traction applications
Parameters
Units
SD1100C..L
04 to 20
25 to 32
I
F(AV)
1170
910
A
@ T
hs
55
°C
I
F(RMS)
2080
1660
A
@ T
hs
25
°C
I
FSM
@ 50Hz
13000
10500
A
@ 60Hz
13600
11000
A
I2t@ 50Hz
846
551
KA2s
@ 60Hz
772
503
KA2s
V
RRM
range
400to 2000
2500 to 3200
V
T
J
- 40 to 180
- 40 to 150
°C
Major Ratings and Characteristics
case style DO-200AB (B-PUK)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1100C08L | 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C20L | 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C04LPBF | 1170 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C32L | 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C16LPBF | 1170 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1100CHP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100DD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100HD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100P | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:1.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers |
| SD1101 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
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