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参数资料
| 型号： | SD1100C25L |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | CERAMIC, BPUK-2 |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C25L |
SD1100C..L Series
3
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Parameter
Units
Conditions
T
J
Max. junction operating temperature range
-40 to 180
-40 to 150
T
stg
Max. storage temperature range
-55 to 200
R
thJ-hs
Max. thermal resistance, junction
0.11
DC operation single side cooled
to heatsink
0.05
DC operation double side cooled
F
Mounting force, ± 10%
9800
N
(1000)
(Kg)
wt
Approximate weight
250
g
Case style
DO-200AB (B-PUK)
See Outline Table
°C
K/W
SD1100C..L
04 to 20
25 to 32
Ordering Information Table
1
-
Diode
2
-
Essential part number
3
-
0 = Standard recovery
4
-
C = Ceramic Puk
5
-
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
(See Voltage Ratings table)
6
-
L = Puk Case DO-200AB (B-PUK)
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction
Conduction angle
Units
Conditions
Single Side Double Side
180°
0.011
0.008
120°
0.014
0.015
0.014
90°
0.018
0.019
60°
0.026
0.027
0.028
30°
0.045
0.046
K/W
T
J = TJ max.
1
23
4
5
6
Device Code
SD 110
0
C
32
L
R
thJ-hs
Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJ-hs when devices operate at different conduction angles than DC)
Thermal and Mechanical Specifications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1100C14CPBF | 1400 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD400C14CPBF | 800 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA |
| SD700C38LPBF | 700 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD700C44LPBF | 700 A, 4400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD800C32LPBF | 1180 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1100C30C | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Hockey Puk Version |
| SD1100C30L | 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE |
| SD1100C32C | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 1100A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100C32L | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 910A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100CHP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
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