收藏本站
参数资料
型号： SD1100C25L
厂商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类： 整流器
英文描述： 910 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封装： CERAMIC, BPUK-2
文件页数： 6/7页
文件大小： 112K
代理商： SD1100C25L
SD1100C..L Series
6
Bulletin I2073 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 9 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 10 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 11 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 12 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 13 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
Fig. 14 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
0
50 0
100 0
150 0
200 0
250 0
300 0
350 0
0
5 00
10 00
15 00
2 000
250 0
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co nd uc tion Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C ur re n t ( A )
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 200 0V )
T = 180 ° C
J
0
50 0
100 0
150 0
200 0
250 0
0
4 00
80 0
1 2 0 0
1 600
20 00
DC
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
C o nd uc tion Pe riod
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
rag
e
Fo
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
A v e rag e Fo rw ard C urr e n t ( A )
SD 1 100C ..L S e ries
( 250 0V to 3200 V )
T = 150 °C
J
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
200
400
600
800
1000
1200
18 0°
12 0°
90°
60°
30°
RMS Lim it
Co n d uc tio n An gle
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
w
e
rL
o
ss
(
W
)
Av erage Forward Cur ren t (A)
SD1 100C..L Series
(2500 V to 3200 V)
T = 150 °C
J
0
500
1 000
1 500
2 000
2 500
0
2 0 0
40 0
600
80 0
1 000 1200 14 00
18 0 °
12 0 °
90 °
60 °
30 °
RM S L im it
Co n d uc tio n Ang le
M
a
xi
m
u
m
A
v
e
ra
g
e
Fo
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
A v e ra g e Fo rw a r d C u rre n t ( A )
SD 1100 C ..L S e rie s
( 400 V t o 2000V )
T = 1 8 0 °C
J
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
100 00
110 00
120 00
11 0
1 0 0
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C yc le Cu rren t Pulse s (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
Fo
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
In itia l T = 1 8 0 ° C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d it io n An d W it h
R a t e d V
A p p lie d Fo llo w in g S urg e .
RR M
SD 110 0C ..L Se rie s
( 400V t o 2000 V )
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
Fo
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
Ver sus Pulse Train Duration .
Initial T = 18 0 °C
No V oltag e Reapplied
Rated V
Reapplied
J
RRM
Maxim um Non Repetitive Surge Current
SD1100 C..L Series
(40 0V to 200 0V)
相关PDF资料
PDF描述
SD1100C14CPBF 1400 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD400C14CPBF 800 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD700C38LPBF 700 A, 3800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD700C44LPBF 700 A, 4400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SD800C32LPBF 1180 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SD1100C30C 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODES Hockey Puk Version
SD1100C30L 制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE
SD1100C32C 功能描述:DIODE STD REC 3200V 1100A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100C32L 功能描述:DIODE STD REC 3200V 910A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD1100CHP 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*