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参数资料
| 型号： | SD1100C32C |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | CERAMIC, B-43, PUK-2 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SD1100C32C |
SD1100C..C Series
2
Bulletin I2072 rev. D 04/00
www.irf.com
Voltage
V
RRM
, maximum repetitive
V
RSM
, maximum non-
I
RRM
max.
Type number
Code
peak reverse voltage
repetitive peak rev. voltage
@ T
J
= T
J
max.
VV
mA
04
400
500
08
800
900
12
1200
1300
16
1600
1700
20
2000
2100
25
2500
2600
30
3000
3100
32
3200
3300
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
SD1100C..C
35
Forward Conduction
Parameter
Units
Conditions
I
F(AV)
Max. average forward current
1400(795) 1100(550)
A
180° conduction, half sine wave
@ Heatsink temperature
55(85)
°C
Double side (single side) cooled
I
F(RMS)
Max. RMS forward current
2500
2000
A
@ 25°C heatsink temperature double side cooled
I
FSM
Max. peak, one-cycle forward,
13000
10500
t = 10ms
No voltage
non-repetitive surge current
13600
11000
t = 8.3ms
reapplied
10930
8830
t = 10ms
100% V
RRM
11450
9250
t = 8.3ms
reapplied
Sinusoidal halfwave,
I2 t
Maximum I2t for fusing
846
551
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= T
J
max.
772
503
t = 8.3ms
reapplied
598
390
t = 10ms
100% V
RRM
546
356
t = 8.3ms
reapplied
I2
√t
Maximum I2
√t for fusing
8460
5510
KA2
√s t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
V
F(TO)1 Low level value of threshold
voltage
V
F(TO)2 High level value of threshold
voltage
r
f1
Low level value of forward
slope resistance
r
f2
High level value of forward
slope resistance
V
FM
Max. forward voltage drop
1.31
1.44
V
I
pk
= 1500A, T
J = TJ max, t
p
= 10ms sinusoidal wave
A
KA2s
SD1100C..C
04 to 20 25 to 32
V
m
0.26
0.38
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.35
0.40
(16.7% x
π x I
F(AV) < I < π x IF(AV)), TJ = TJ max.
0.94
0.88
(I >
π x I
F(AV)
),T
J
= T
J
max.
0.78
0.84
(16.7% x
π x I
F(AV)
< I <
π x I
F(AV)
), T
J
= T
J
max.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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