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参数资料
| 型号： | SD200R08PBVPBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 200 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AC |
| 封装： | METAL GLASS, DO-30, 1 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | SD200R08PBVPBF |
SD200N/R Series
7
www.irf.com
Bulletin I2080 rev. B 11/01
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC Characteristic
Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
100
100 0
10 0 0 0
0.5
1
1.5
2
2 .5
3
3.5
T = 25 C
J
In stan tan eou s Forw ard V oltag e (V )
In
st
a
n
ta
n
e
o
u
sF
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
SD 200N /R Se rie s
T = 180 C
J
10 0 0
15 0 0
20 0 0
25 0 0
30 0 0
35 0 0
40 0 0
45 0 0
110
10 0
N um b er O f Eq ua l A m p litud e H a lf C y cle C urre nt P u lses (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
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F
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d
C
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e
n
t(
A
)
In itia l T = 180 C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
J
SD 200N /R Se rie s
At Any R ate d Lo ad C ond ition And W ith
R a ted V
A p p lied Fo llow ing Surg e .
RRM
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
0.01
0.1
1
Pulse Tra in D uration (s)
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
ve
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t
(A
)
In itial T = 180 C
No Voltag e Re applie d
Ra te d V
R e app lie d
RRM
Ve rsus Pulse Train D ura tion .
M ax im um Non Re pe titive Surge C urre n t
J
SD 200N/R Se rie s
0.01
0.1
1
0 .001
0.0 1
0.1
1
1 0
Square W ave Pulse D uratio n (s)
th
JC
Tr
a
n
si
en
tT
h
er
m
a
lI
m
p
e
d
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n
c
e
Z
(
K
/W
)
Steady State Value:
R
= 0.23 K /W
(D C O pe ration )
thJC
SD 200N /R Serie s
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PDF描述 |
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| SMCJ13CAE3/TR13 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
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