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参数资料
| 型号： | SD2410-002 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, PILL STYLE, METAL CAN PACKAGE |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | SD2410-002 |
Silicon Photodarlington
SD2410
DESCRIPTION
FEATURES
Miniature, hermetically sealed, pill style, metal
can package
48 (nominal) acceptance angle
Wide operating temperature range
(- 55C to +125C)
Ideal for direct mounting to printed circuit boards
Wide sensitivity ranges
Mechanically and spectrally matched to SE2460
and SE2470 infrared emitting diodes
The SD2410 is an NPN silicon photodarlington mounted
in a hermetically sealed glass lensed metal can
package. This package directly mounts in double sided
PC boards.
DIM_013.cdr
INFRA--1.TIF
OUTLINE DIMENSIONS in inches (mm)
3 plc decimals
±0.005(0.12)
Tolerance
2 plc decimals
±0.020(0.51)
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
156
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD2440-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD51R | 60 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| SD5421-002 | PIN PHOTO DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD2410-003 | 功能描述:光电晶体管 Silicon Photodarling RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-101 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-110 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-114 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD241-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Power Schottky Rectifier |
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