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参数资料
| 型号： | SD2410-002 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, PILL STYLE, METAL CAN PACKAGE |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | SD2410-002 |
Silicon Photodarlington
SD2410
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNITS
TEST CONDITIONS
MIN
PARAMETER
SYMBOL
TYP
MAX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(25C Free-Air Temperature unless otherwise noted)
Collector-Emitter Voltage
15 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
125 mW []
Operating Temperature Range
-55C to 125C
Storage Temperature Range
-65C to 150C
Soldering Temperature (10 sec)
260C
Notes
1. Derate linearly from 25C free-air temperature at the rate of
1.19 mW/C.
SCHEMATIC
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
157
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD2440-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD51R | 60 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
| SD5421-002 | PIN PHOTO DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD2410-003 | 功能描述:光电晶体管 Silicon Photodarling RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-101 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-110 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-114 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD241-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Power Schottky Rectifier |
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