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参数资料
| 型号： | SD2410-003 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, PILL STYLE, METAL CAN PACKAGE |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 376K |
| 代理商： | SD2410-003 |
Silicon Photodarlington
SD2410
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
cir_016.cdr
SWITCHING WAVEFORM
cir_004.cdr
Responsivity vs
Angular Displacement
gra_037.ds4
Angular displacement - degrees
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-60
-45
-30
-15
0
+15 +30 +45 +60
Fig. 1
Non-Saturated Switching Time vs
Load Resistance
gra_049.ds4
Load resistance - Ohms
R
e
p
o
n
s
e
ti
m
e
-
s
10
100
1000
10
1000
10000
100
Fig. 2
Spectral Responsivity
gra_036.ds4
Wavelength - nm
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
400
600
800
1000 1200
Fig. 3
All Performance Curves Show Typical Values
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
158
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD2410-002 | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| SD2440-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD2440-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SD51R | 60 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD2410-101 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-110 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD2410-114 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SD241-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Dual Power Schottky Rectifier |
| SD2412L5-T1M | 制造商:TDK 功能描述:Buzzer, SD2412L5-T1,Pin terminal |
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