| 型号： | SD253R08S15PV |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FAST REC 800V 250A DO-9 |
| 标准包装： | 12 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 800V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.38V @ 785A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 1.5µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 35mA @ 800V |
| 安装类型： | 底座，接线柱安装 |
| 封装/外壳： | DO-205AB，DO-9，接线柱 |
| 供应商设备封装： | DO-205AB，DO-9 |
| 包装： | 散装 |
| 其它名称： | *SD253R08S15PV |
| SD253N/R Series Bulletin |2065 rev. B 10/06 iniernoiioncilISBR Reciiiier ELECTRICAL SPECIFICATIONSVoltage Ratings Voltage Type number Code V max. repetitive V maximum non- IRRMpeak and off-state voltageRRM max.TJ =125°CRSM ‘repetitive peakvoitage mA SD253N/R..S15 SD253N/R..S2O Forward Conduction Parameter Conditions lF(AV) Max. average forward current 180° conduction, half sine wave. @ Case temperature DC @ 74°C case temperature IHRMS) Max. RMS current |FsM Max. peak, one-cycle No voltage non-repetitive fonivard current reapplied 100% VRRM reapplied Sinusoidal half wave, Maximum l2t for fusing initial TJ = TJ max. No voltage reapplied 100% VRRM l2v“t Maximum l2v‘t for fusing reapplied t: 0.1 to Ioms, no voltage reapplied VHTO)‘ Low level of threshold voltage 16.7%xnxIFAV <I<nxIFAV),TJ=TJmax. VF(TO)2 High level of threshold voltage I > n x IF(AV)), TJ = TJ max. rm Low level of fonivard slope resistance r(2 High level of forward slope resistance 16.7% X nx IHAV) < I < it x IF(AV)), TJ = TJ max. >(I ), TJ = TJ max. VFM Max. forward voltage Recovery Characteristics IpkSquare Pulse (A) www.irf.com |
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SD253R08S20MSV | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |
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| SD253R08S20PSV | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FAST RECOVERY DIODES Stud Version |