参数资料
型号: SD303C12S15C
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 整流器
英文描述: 350 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
封装: CERAMIC, PUK-2
文件页数: 10/11页
文件大小: 269K
代理商: SD303C12S15C
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93174
8
Revision: 04-Aug-08
SD303C..C Series
Vishay High Power Products
Fast Recovery Diodes
(Hockey PUK Version), 350 A
Fig. 22 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 23 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
1E 1
1E 2
1E 3
1E 4
1E 1
1 E 2
1E 3
1 E4
1
2
0.1
Pu lse B a se w id t h ( s)
P
e
ak
Fo
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t
(A
)
4
dv /dt = 1000V/ s
Sinu so idal P ulse
20 jo ules p e r p ulse
10
0.4
0.2
0.04
0.0 2
SD 303C..S15 C Se ri es
T = 1 2 5°C, V
= 1 7 6 0 V
J
RRM
tp
1E1
1 E 2
1 E 3
1 E 4
1
2
Pu lse B a se w id th ( s)
4
20 jo ule s p er p ulse
10
0.4
0.2
T rape zo idal Pu lse
d v/dt = 1 0 0 0 V/s ; di /dt= 5 0 A/ s
T = 125°C , V
= 1760V
J
RRM
SD 303C..S15C Se rie s
tp
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1E 2
1E 3
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1E 1
1 E 2
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1
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0.1
Pu lse B a se w id t h ( s)
P
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(A
)
4
dv / dt = 1 0 0 0 V/ s
Sin uso ida l Pu lse
20 jo u le s per pu ls e
10
0. 4
0.2
0. 04
T = 125°C, V
= 1760 V
J
RR M
SD3 0 3 C..S2 0 C Se rie s
tp
1E1
1 E2
1 E 3
1 E4
1
2
Pu lse B a se w id th ( s)
4
20 jo ule s p er p ulse
10
0.4
0.2
T rape zo ida l Pul se
dv / dt = 1000V/ s ; di / dt= 50A/ s
SD 303C..S20C Se rie s
T = 125°C , V
= 1760V
J
RRM
tp
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PDF描述
SD303C14S15C 350 A, 1400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AA
SD703C16S20L 700 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD703C25S30L 790 A, 2500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD823C20S30C 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SDP8425-002 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
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SD303C12S20C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 350 A
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