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参数资料
| 型号： | SD550YT |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | SD550YT |
PAGE . 2
STAD-APR.27.2009
1
SD520YT~SD560YT
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.2 -MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE
CURRENT
PEAK
FOR
W
ARD
S
URGE
C
URRENT
AMPERES
NO. OF CYCLE AT 60H
Z
110
10
0
20
40
60
80
100
A
VERAGE
F
OR
W
A
RD
CURRENT
,
AMPERES
Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
CASE TEMPERATURE , C
O
SINGLE PHASE
HALF WAVE
60HZ
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
4
3
2
1
0
5
=20-30V
=40-60V
Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTIC
0.2
0.1
1.0
10
0.4
0.6
0.8
1.0
T=25 C
A
O
20-40V
50-60V
FOR
W
A
RD
CURRENT
,AMPERES
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
Fig.3-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
T =100 C
J
O
T=25 C
J
O
V =20-40V
RRM
V =50-60V
RRM
20
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
3
40
60
80
100
120
REVERSE
CURRENT
,m
A
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE.%
10
2
10
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SF805G | 4 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
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| SB830F | 8 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SHF1150SMSS | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SHF1180SMSTXV | 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD551-23-41-221 | 制造商:ADVANCEDPHOTONIX 制造商全称:ADVANCEDPHOTONIX 功能描述:High Voltage P-Type Quad Silicon Detector |
| SD-552-BU | 制造商:GC Electronics 功能描述: |
| SD-553-BU | 制造商:GC Electronics 功能描述: |
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