参数资料
型号: SD703C12S30L
元件分类: 整流器
英文描述: 790 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封装: BPUK-2
文件页数: 10/10页
文件大小: 258K
代理商: SD703C12S30L
SD703C..L Series
9
Bulletin I2075 rev. D 04/00
www.irf.com
nt Characteristics
Fig. 32 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 33 - Frequency Characteristics
Fig. 30 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 31 - Frequency Characteristics
ent Characteristics
Fig. 28 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 29 - Frequency Characteristics
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1 E2
1E3
1 E4
1
2
0.1
Pulse Basewidth (s)
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
1 0 jo u le s pe r puls e
6
4
d v / dt = 1000V / s
Si nu so id al Pu lse
0.6
0.4
0.08
SD 703C ..S20L S eri es
T = 150 °C , V
= 8 00 V
J
RR M
tp
0.2
1E2
1E3
1E4
1E 1
1 E2
1E3
1 E4
1
2
Pulse Ba sew idth (s)
4
1 0 jo u le s pe r pu ls e
6
Tr ape z oi dal P ul se
P
e
a
k
Fo
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a
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C
u
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n
t(
A
)
SD 703 C..S20L Se rie s
T = 150 °C , V
= 800V
d v /d t = 1000V / s
di/ dt = 30 0 A/ s
J
RRM
0. 6
0.4
tp
0. 8
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1 E2
1E3
1 E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
4
1 0 jo u le s pe r puls e
6
Trap e zoi dal Pulse
P
e
a
kF
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
0.6
0. 4
T = 150 °C , V
= 800V
SD 703C ..S 20 L Se ri es
RRM
d v /d t = 1000V / s, d i/ dt = 100A / s
J
tp
0.2
1E 2
1E 3
1E 4
1E1
1 E2
1E3
1 E4
Pulse Basew idth (s)
50 H z
200
10000
10 0
4000
d v /d t = 10 00V/ u s
20000
40 0
15000
1000
6000
P
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a
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C
u
rre
n
t(
A
)
Sin u so ida l Pu ls e
SD 703C ..S 20 L Se r ie s
T = 5 5 °C , V
= 8 00 V
C
RRM
2000
tp
3000
600
1E 2
1E 3
1E 4
1 E11 E 2
1E 31 E4
Pulse Basew idth (s)
Trap ez o idal Pulse
50 H z
100
200
40 0
1000
2000
4000
3000
60 0
6000
10000
15000
P
e
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F
o
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d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 5 5 °C, V
= 800V
SD 703 C..S20L Se rie s
d v / dt = 1000V/ u s,
d i/ d t = 300A / us
RRM
C
tp
1E2
1E3
1E4
1E1
1 E2
1E3
1 E4
Pulse Basewidth (s)
T rape zo id al Pu lse
50 H z
100
20 0
40 0
1000
2000
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60 00
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C
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A
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20000
SD 703C.. S20L Se rie s
T = 5 5 °C , V
= 800V
RRM
d v /d t = 1000V/ u s,
d i/ dt = 10 0A / u s
C
tp
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PDF描述
SD703C16S20L 700 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD703C20S30L 790 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD800C24LPBF 1180 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD800C36LPBF 1180 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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SD703C16S30L 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 700/790 A
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