参数资料
型号: SD703C12S30L
元件分类: 整流器
英文描述: 790 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
封装: BPUK-2
文件页数: 9/10页
文件大小: 258K
代理商: SD703C12S30L
SD703C..L Series
8
Bulletin I2075 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 25 - Recovery Time Characteristics
Fig. 26 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 27 - Recovery Current Characteristics
Fig. 22 - Recovery Time Characteristics
Fig. 23 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 24 - Recovery Current Characteristics
Fig. 21 - Typical Forward Recovery Characteristics
Fig. 20 - Typical Forward Recovery Characteristics
0
20
40
60
80
10 0
0
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80 0
1 200
160 0
2 0 0 0
T = 2 5 ° C
J
Fo
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(
V
)
SD 7 0 3 C ..S2 0 L Se rie s
T = 150 °C
J
R a t e O f R ise O f Fo rw ard C u rre n t - di/d t ( A / u s)
I
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Ra te Of Fall O f Fo rw ard C urrent - di/d t ( A/s)
M
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T
im
e
-
T
rr
(
s)
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J
r
I
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Sin e Pulse
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FM
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0
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M
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u
m
Re
v
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c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urren t - di/d t (A /s)
5 00 A
SD 7 03C ..S 20L Se rie s
T = 1 50 °C ; V > 1 00V
J
r
I
= 10 00 A
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FM
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(A
)
50 0 A
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S D 703C ..S 20L Se rie s
T = 150 °C ; V > 1 00V
J
r
I
= 10 00 A
Sine Pu ls e
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FM
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Fo
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(
V
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T = 150 °C
J
S D 703C . .S 30L S e ries
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I
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(
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r
I
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M
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C
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a
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-
Q
rr
(
C
)
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urre nt - di/d t (A /s)
5 00 A
SD 70 3C ..S30L S e rie s
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J
r
I
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A
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500 A
Ra te O f Fall O f Fo rw ard C urren t - di/d t (A /s)
SD 7 03C ..S 30L Se r ies
T = 1 50 °C ; V > 10 0V
J
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I
= 10 00 A
Sine Puls e
150 A
FM
相关PDF资料
PDF描述
SD703C16S20L 700 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD703C20S30L 790 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
SD800C24LPBF 1180 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB
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