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参数资料
| 型号： | SD823C20S30C |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | B-43, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | SD823C20S30C |
SD823C..C Series
4
Bulletin I2074 rev. D 04/00
www.irf.com
Outline Table
Fig. 1 - Current Ratings Characteristics
Fig. 2 - Current Ratings Characteristics
0.8(0.03) MIN.
3.5 (0.14) DIA. NOM. x
1.8 (0.07) DEEP MIN. BOTH ENDS
1
4
.4
(
0
.5
7
)
1
5
.4
(
0
.6
1
)
BOTH ENDS
40.5 (1.59) DIA. MAX.
25.3 (1) DIA. MAX.
TWO PLACES
42
(1
.65)
D
IA
.MA
X
.
Conform to JEDEC B-43
All dimensions in millimeters (inches)
20
40
60
80
100
120
140
160
0
1 00
20 0
3 00
40 0
5 0 0
6 0 0
7 0 0
30°
60°
90°
120°
1 80°
A v era g e F o r w a rd C u rre n t ( A )
M
a
xi
m
u
m
A
llo
w
a
bl
e
He
at
si
n
k
Te
m
p
e
rat
u
re
(
°C
)
Co nd uc tion A ng le
SD 8 23C ..S 20C Se rie s
( Sin g le Sid e C o oled )
R
( D C ) = 0 .0 7 6 K/ W
th J -hs
20
40
60
80
10 0
12 0
14 0
16 0
0
200
40 0
600
80 0
1000
30°
60°
90°
180°
DC
120 °
Average Forwa rd Curr en t (A)
M
a
xi
m
u
m
A
llo
w
a
b
le
He
at
si
n
k
T
e
mpe
rat
u
re
(°
C)
Co n d uc tion Pe riod
SD 823C..S20 C Series
(Single Side Cooled)
R
(DC) = 0.07 6 K/W
th J -hs
Quote between upper and lower
pole pieces has to be considered
after application of Mounting Force
(see Thermal and Mechanical
Specification)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD833-03 | 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SD850ST/R13 | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252 |
| SD840ST/R13 | 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252 |
| SD850T | 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
| SD860T | 8 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD823C25C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 810/910 A |
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| SD824 | 制造商:LINEAR 制造商全称:LINEAR 功能描述:HIGH SPEED DMOS FET ANALOG SWITCHES AND SWITCH ARRAYS |
| SD8250 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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