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参数资料
| 型号： | SD823C20S30C |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | B-43, 2 PIN |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | SD823C20S30C |
SD823C..C Series
7
Bulletin I2074 rev. D 04/00
www.irf.com
Fig. 16 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Fig. 15 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Fig. 17 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 18 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 19 - Thermal Impedance Z
thJ-hs Characteristic
0 . 001
0. 0 1
0. 1
0. 0 0 1
0 .0 1
0 . 1
1
1 0
1 00
S qu a re W av e P u lse D u rat io n ( s)
th
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Z
(
K
/W
)
St ea d y S ta t e V a lue
R
= 0. 076 K / W
(S in g le Sid e C ooled )
R
= 0. 038 K / W
(D oub le S id e C ooled )
(D C O p e ra t io n )
th J- hs
S D 82 3C .. S20/ S30C Se r ies
100
1 000
10 000
0 .5
1
1 .522 .5
33 .544 .5
5
T = 2 5 °C
J
In st an t a n e o us Fo rw ar d V o lt ag e ( V )
In
st
an
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d
C
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rr
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n
t(
A
)
T = 1 5 0 °C
J
SD 8 23C ..S 20C S e rie s
30 00
40 00
50 00
60 00
70 00
80 00
90 00
1
1 0
100
Nu m b e r O f Eq u a l A m p litud e H a lf C yc le C urren t Pulse s (N )
P
e
ak
Hal
fS
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
S D 823 C ..S30C Se rie s
In it ia l T = 1 5 0 °C
@ 60 H z 0.0083 s
@ 50 H z 0.0100 s
At An y Ra t e d L o a d C o n d it io n A n d W ith
R a te d V
A p p lie d Fo llo w in g Su rg e .
RR M
J
2 000
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
100 00
0.01
0 .1
1
Pu lse T ra in D u ra t io n ( s)
P
e
ak
H
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lf
Si
n
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W
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(A
)
In it ia l T = 1 5 0 °C
N o V o ltag e R e applie d
R a te d V
R e a pplie d
J
RRM
S D 823C ..S30 C Se ries
V e rsu s P u lse T rain D ura t io n .
M a xim u m No n R e p e titiv e Su rg e C u rr e nt
100
1000
10000
0 .511 .5
22 .533. 5
4
T = 25°C
J
Instan tan eous Forwar d V oltage (V )
In
st
a
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ta
n
e
o
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s
F
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a
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C
u
rre
n
t(
A
)
T = 1 50°C
J
SD 823 C..S30 C Series
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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