- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录48030 > SD823C20S30C (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SD823C20S30C |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2 |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 403K |
| 代理商： | SD823C20S30C |
Document Number: 93181
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 14-May-08
7
SD823C..C Series
Fast Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
810/910 A
Vishay High Power Products
Fig. 22 - Recovery Time Characteristics
Fig. 23 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 24 - Recovery Current Characteristics
Fig. 25 - Recovery Time Characteristics
Fig. 26 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 27 - Recovery Current Characteristics
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
10
100
1000
Rate Of Fa ll Of Forward Current - di/ dt (A/ s)
Ma
xi
mu
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
Ti
m
e
-
Tr
r(
s)
500 A
I
= 1000 A
Sine Pulse
150 A
FM
SD823C..S20C Series
T = 150 °C; V > 100V
J
r
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
50 100 150 200 250 300
M
a
x
im
u
m
Re
v
e
rs
e
Re
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-Q
rr
(
C
)
Ra te Of Fa ll Of Forward Current - d i/ d t (A/ s)
500 A
I
= 1000 A
Sine Pulse
150 A
FM
SD823C..S20C Series
T = 150 °C; V > 100V
J
r
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
50 100 150 200 250 300
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rre
n
t-
Ir
r
(A
)
500 A
Ra te Of Fa ll Of Forward Current - di/ dt (A/ s)
I
= 1000 A
Sine Pulse
150 A
FM
SD823C..S20C Series
T = 150 °C; V > 100V
r
J
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
10
100
1000
Rate Of Fall Of Forward Current - d i/d t (A/ s)
M
a
x
imu
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
Ti
me
-
Tr
r(
s)
500 A
I
= 1000 A
Sine Pulse
FM
150 A
SD823C..S30C Series
T = 150 °C; V > 100V
J
r
0
200
400
600
800
1000
1200
0
50
100 150 200 250 300
M
a
x
im
u
m
Re
v
e
rs
e
Re
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
Rate Of Fall Of Forwa rd Current - di/d t (A/ s)
500 A
I
= 1000 A
Sine Pulse
150 A
FM
SD823C..S30C Series
T = 150 °C; V > 100V
J
r
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
0
50 100 150 200 250 300
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
u
rr
e
n
t-
Ir
r(
A
)
500 A
Ra te Of Fall Of Forward Current - d i/ dt (A/ s)
150 A
I
= 1000 A
Sine Pulse
FM
SD823C..S30C Series
T = 150 °C; V > 100V
J
r
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8425-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8426-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDR12GSMSTX | 12 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDR12JTXV | 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SDR12DSMS | 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD823C25C | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 810/910 A |
| SD823C25S20C | 功能描述:DIODE FAST REC 2500V 810A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD823C25S30C | 功能描述:DIODE FAST REC 2500V 910A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD824 | 制造商:LINEAR 制造商全称:LINEAR 功能描述:HIGH SPEED DMOS FET ANALOG SWITCHES AND SWITCH ARRAYS |
| SD8250 | 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。