参数资料
型号: SD823C20S30C
厂商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分类: 整流器
英文描述: 910 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2
文件页数: 11/12页
文件大小: 403K
代理商: SD823C20S30C
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93181
8
Revision: 14-May-08
SD823C..C Series
Vishay High Power Products
Fast Recovery Diodes
(Hockey PUK Version),
810/910 A
Fig. 28 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 29 - Frequency Characteristics
Fig. 30 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 31 - Frequency Characteristics
Fig. 32 - Maximum Total Energy Loss Per Pulse Characteristics
Fig. 33 - Frequency Characteristics
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
10 joulesp er pulse
6
4
d v/ dt = 1000V/ s
Sinusoidal Pulse
0.6
0.4
0.2
0.1
T = 150°C, V
= 800V
J
RRM
SD823C..S20C Series
tp
0.08
1E2
1E3
1E4
1E11E2
1E31E4
Pulse Basewidth (s)
50 Hz
200
10000
100
4000
dv/ d t = 1000V/ us
20000
400
15000
1000
2000
6000
P
e
a
k
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
en
t(
A
)
T = 55°C, V
= 800V
C
RRM
SD823C..S20C Series
Sinusoidal Pulse
tp
3000
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
4
10 joules per pulse
6
Trapezoidal Pulse
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
T = 150°C, V
= 800V
dv/ d t = 1000V/ s
d i/ d t = 300A/ s
0.6
0.4
J
RRM
SD823C..S20C Series
tp
0.8
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (s)
50 Hz
100
200
400
1000
2000
4000
3000
600
6000
10000
15000
P
e
a
k
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
20000
SD823C..S20C Series
T = 55°C, V
= 800V
dv/ d t = 1000V/ us,
di/ dt = 300A/ us
Trapezoidal Pulse
C
RRM
tp
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
4
10 joules p er pulse
6
Trapezoidal Pulse
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
0.6
0.4
T = 150°C, V
= 800V
dv/ d t = 1000V/ s
di/ d t = 100A/ s
J
RRM
SD823C..S20C Series
tp
0.2
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (s)
Trapezoidal Pulse
50 Hz
100
200
400
1000
2000
4000
3000
600
6000
10000
15000
P
e
ak
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
en
t
(A
)
20000
dv/ dt = 1000V/ us,
di/ d t = 100A/ us
T = 55°C, V
= 800V
C
RRM
SD823C..S20C Series
tp
相关PDF资料
PDF描述
SDP8425-002 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
SDP8426-001 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR
SDR12GSMSTX 12 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SDR12JTXV 12 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SDR12DSMS 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SD823C25C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Fast Recovery Diodes (Hockey PUK Version), 810/910 A
SD823C25S20C 功能描述:DIODE FAST REC 2500V 810A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD823C25S30C 功能描述:DIODE FAST REC 2500V 910A E-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管,整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):30A 电压 - (Vr)(最大):400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件
SD824 制造商:LINEAR 制造商全称:LINEAR 功能描述:HIGH SPEED DMOS FET ANALOG SWITCHES AND SWITCH ARRAYS
SD8250 制造商:ASI 制造商全称:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR