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参数资料
| 型号： | SD853C36S50K |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 990 A, 3600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
| 封装： | KPUK-2 |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | SD853C36S50K |
www.vishay.com
For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com
Document Number: 93182
6
Revision: 14-May-08
SD853C..S50K Series
Vishay High Power Products
Fast Recovery Diodes
(Hockey PUK Version), 990 A
Fig. 12 - Recovery Time Characteristics
Fig. 13 - Recovery Charge Characteristics
Fig. 14 - Recovery Current Characteristics
Fig. 15 - Maximum Total Energy Loss
Per Pulse Characteristics
Fig. 16 - Frequency Characteristics
Fig. 17 - Maximum Total Energy Loss
Per Pulse Characteristics
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
10
100
1000
Ra te Of Fall Of Forwa rd Current - d i/ d t (A/ s)
M
a
x
im
u
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
T
im
e
-
T
rr
(
s)
500 A
I
= 1500 A
Sine Pulse
1000 A
FM
SD853C..S50K Series
T = 125 °C; V > 100V
J
r
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
50 100 150 200 250 300
M
a
x
imu
m
R
e
v
e
rs
e
R
e
c
o
v
e
ry
C
h
a
rg
e
-
Q
rr
(
C
)
Rate Of Fall Of Forward Current - di/ dt (A/ s)
500 A
I
= 1500 A
Sine Pulse
1000 A
FM
SD853C..S50K Series
T = 125 °C; V > 100V
J
r
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
50 100 150 200 250 300
M
a
x
im
u
m
Re
v
e
rs
e
Re
c
o
v
e
ry
C
u
rr
e
n
t-
Ir
r(
A
)
500 A
Rate Of Fall Of Forward Current - di/d t (A/s)
I
= 1500 A
Sine Pulse
1000 A
FM
SD853C..S50K Series
T = 125 °C; V > 100V
J
r
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
P
e
a
kF
o
rw
ar
d
C
u
rr
en
t(
A
)
10 joules p er pulse
6
4
dv/d t = 1000V/ s
T = 125°C, V
= 1500V
J
RRM
Sinusoid al Pulse
0.8
0.6
0.4
0.2
SD853C..S50K Series
tp
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
Pulse Basewidth (s)
50 Hz
200
10000
100
4000
dv/ dt = 1000V/ us
400
1000
2000
6000
P
e
a
k
F
o
rw
a
rd
Cu
rr
ent
(A
)
Sinusoidal Pulse
SD853C..S50K Series
T = 55°C, V
= 1500V
C
RRM
600
1500
tp
3000
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1
2
Pulse Basewidth (s)
4
10 joules per pulse
6
Trapezoidal Pulse
P
e
a
kF
o
rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 125°C, V
= 1500V
J
RRM
SD853C..S50K Series
dv/ d t = 1000V/ s
d i/ d t = 300A/ s
0.8
0.6
tp
8
0.4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SD853C30S50K | 990 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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