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参数资料
| 型号： | SDP8436-001 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | SDP8436-001 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE1003-C | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SE1003 | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| SE1470-001 | 1.57 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SE1470-002 | 1.57 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SE1470-003 | 1.57 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8436-002 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-003 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-003 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| SDP8436-004 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-2TR | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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