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参数资料
| 型号： | SF33-AP |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 470K |
| 代理商： | SF33-AP |
trr
+0.5A
0
-0.25
-1.0
1cm
Set Time Base for 20/100ns/cm
25Vdc
1
50
10
Oscilloscope
Note 1
Pulse
Generator
Note 2
Notes:
1. Rise Time = 7ns max.
Input impedance = 1 megohm, 22pF
2. Rise Time = 10ns max.
Source impedance = 50 ohms
3. Resistors are non-inductive
Figure 6
Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram
Figure 4
Maximum Non-repetitive Forward Surge Current
PEAK
FOR
W
ARD
SURGE
CURRENT
.(A)
1
2
5
10
20
100
50
20
0
40
100
80
60
120
140
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
Figure 5
JUNCTION
CAP
ACIT
ANCE.(pF)
.1
.5
1
5
2
10 20
50
100 200
500 1000
60
80
100
120
140
160
180
200
REVERSE VOLTAGE. (V)
SF31~SF34
SF35~SF3
8
Typical Junction Capacitance
MCC
SF31 thru SF38
Revision: A
2011/01/01
TM
Micro Commercial Components
www.mccsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS10PH10HG3/86A | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| SS5P6-G3/86A | 5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A |
| SS1P6L-E3/85A | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-220AA |
| SS110G-TP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC |
| SPD6643TXV | 0.3 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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