参数资料
型号: SFT1341-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA
标准包装: 700
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 112 毫欧 @ 5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 20V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TP-FA
包装: 带卷 (TR)
SFT1341
--10
ID -- VDS
--10
ID -- VGS
--3
--9
.5
V
--9
VDS= --10V
--8
--7
--2
.5V
--1
.
8V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1.5V
--6
--5
--4
--3
--2
--1
VGS= --1.2V
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14522
300
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
IT14523
280
260
240
220
ID= --2.5 A
Ta=25°C
280
260
240
220
= --2
.8V
.0A
= --1 = --5
VGS V, I D
= --2
= --5
= --4
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
--5A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
VGS
, ID
VGS .5 V, I D
.5A
.5 .0A
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
3
2
| y fs | -- ID
IT14524
VDS= --10V
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14525
VGS=0V
10
7
--10
7
5
° C
° C
5
3
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
75
25
3
2
--1.0
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
--0.01
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14526
VDD= --20V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14527
f=1MHz
2
100
7
td (off)
tf
1000
7
5
Ciss
5
3
3
2
tr
2
10
7
5
td(on)
100
7
5
Coss
Crss
3
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
3
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14528
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14529
No. A1444-3/9
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PDF描述
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参数描述
SFT1342 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
SFT1342-E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1342-TL-E 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1345 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1345-H 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube