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参数资料
| 型号： | SFT1341-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA |
| 标准包装： | 700 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 112 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 650pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TP-FA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SFT1341
10
0 μ
1m
DC
10
ati
0m
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --20V
ID= --10A
VGS -- Qg
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
ASO
IDP= --40A PW≤10μs
ID= --10A
er
Operation in
limited by RDS(on). s
on
op ms
this area is 10
s
s
10
μ s
3
--0.5
2
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
--0.1
2 3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14530
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14531
1.0
0.8
0.6
No
he
at
sin
k
0.4
0.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14532
No. A1444-4/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1342-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP |
| SFT1342-TL-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA |
| SFT1345-H | MOSFET P-CH 100V 11A TP |
| SFT1350-TL-H | MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA |
| SFT1423-E | MOSFET N-CH 500V 2A TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1342 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1342-E | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1342-TL-E | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1345 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1345-H | 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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