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参数资料
| 型号： | SFW9620 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | Advanced Power MOSFET |
| 中文描述： | 3.5 A, 200 V, 1.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | D2PAK-3 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | SFW9620 |
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Compliment of DUT
(N-Channel)
V
GS
dv/dt controlled by “R
G”
I
S controlled by Duty Factor “D”
V
DD
10V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM , Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
--------------------------
SFW/I9620
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFW9630 | Advanced Power MOSFET |
| SFX-DM-15DM | INTERCONNECTION DEVICE |
| SFX-DMDM-1.5M | INTERCONNECTION DEVICE |
| SFX-NMNM-4 | INTERCONNECTION DEVICE |
| SFX-NMNM-6 | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFW9620TM | 功能描述:MOSFET PCh/200V/3.5a/1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFW9624TM | 功能描述:MOSFET PCh/250V/2.7a/2.4Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFW9630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
| SFW9630TM | 功能描述:MOSFET PCh/200V/6.5a/0.8Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFW9634 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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