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参数资料
| 型号： | SGD-100T |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | CERAMIC, CP, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | SGD-100T |
SGD-100T
Ordering number :EN3170A
C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
GaAs Schottky Barrier Diode
41098HA (KT)/90694MO/8-6953/O259MO, TS No.3170-1/2
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Package Dimensions
unit:mm
1235A
[SGD-100T]
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C (Per element)
1:Cathode
2:Anode
3:Common
SANYO:CP
Electrical Characteristics at Ta = 25C (Per element)
C
Features
Very small-sized ceramic package.
Less parasitc components, conversion loss.
Electrical Connection
1:Cathode
2:Anode
3:Common
(Top view)
C
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PDF描述 |
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