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参数资料
| 型号： | SGD102 |
| 元件分类： | 射频混频器 |
| 英文描述： | GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE |
| 封装： | CP3R, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | SGD102 |
22898HA (KT)/D1096GI/ (KOTO) X-8179 No.5581-1/2
SGD102
Ordering number :EN5581
C to X Band, Mixer, Modulator Applications
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
GaAs Schottky Barrier Diode
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Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
1276
[SGD102]
1:No Contact
2:Anode
3:Cathode
SANYO:CP3R
Note)*: Conversion loss measurement diagram
For measurement of conversion loss, do a sampling from the lot population and use the DC incremental
method for measurement.
Electrical Characteristics at Ta = 25C
C
IF=20mA
IR=10A
IF=20mA
V=0V, f=1MHz
Features
Ultrasmall-sized package.
Less parasitic components, conversion loss.
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PDF描述 |
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