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参数资料
| 型号： | SGF23N60UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 23A |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
100
50
80
Common Emitter
T C = 25 ℃
20V
15V
40
Common Emitter
V GE = 15V
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
60
40
20
0
12V
V GE = 10V
30
20
10
0
0
2
4
6
8
0.5
1
10
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
4
3
Common Emitter
V GE = 15V
24A
18
15
V CC = 300V
Load Current : peak of square wave
12
2
1
12A
I C = 6A
9
6
3
Duty cycle : 50%
0
0
T C = 100 ℃
Power Dissipation = 16W
0
30
60 90 120
Case Temperature, T C [ ℃ ]
150
0.1
1
10
Frequency [KHz]
100
1000
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
20
Common Emitter
T C = 25 ℃
16
12
8
Fig 4. Load Current vs. Frequency
20
Common Emitter
T C = 125 ℃
16
12
8
4
12A
24A
4
12A
24A
0
I C = 6A
0
I C = 6A
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 5. Saturation Voltage vs. V GE
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 6. Saturation Voltage vs. V GE
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF23N60UF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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