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参数资料
| 型号： | SGF5N150UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1500V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 5.5V @ 10V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
IGBT
SGF5N150UF
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor ( IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGF5N150UF is designed for the Switching Power
Features
? High Speed Switching
? Low Saturation Voltage : V CE(sat) = 4.7 V @ I C = 5A
? High Input Impedance
Supply applications.
Application
Switching Power Supply - High Input Voltage Off-line Converter
C
G
G C E
TO-3PF
E
Absolute Maximum Ratings
T C = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Description
SGF5N150UF
Units
V CES
V GES
I C
I CM (1)
P D
T J
T stg
T L
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
@ T C = 25 ° C
@ T C = 100 ° C
1500
± 20
10
5
20
62.5
25
-55 to +150
-55 to +150
300
V
V
A
A
A
W
W
° C
° C
° C
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
Max.
2.0
40
Units
° C / W
° C / W
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF5N150UF Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH15N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P |
| SGH20N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P |
| SGH23N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P |
| SGH30N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| SGH40N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGF80N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGF80N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGF9 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier |
| SGFEB1024-120-NA | 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10 |
| SGFHCB-36M0000000 | 功能描述:VCXO振荡器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封装 / 箱体:5 mm x 3.2 mm 频率:19.2 Mhz 频率稳定性:2.5 PPM 输出格式: 封装:Reel 电源电压:3 V 端接类型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C |
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