- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SGF5N150UFTU (Fairchild Semiconductor)IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SGF5N150UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1500V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 5.5V @ 10V，5A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 10A |
| 功率 - 最大： | 62.5W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | SC-94 |
| 供应商设备封装： | TO-3PF |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics of IGBT
T C = 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0V, I C = 1mA
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
1500
--
--
--
--
--
--
1.0
± 100
V
mA
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 5mA, V CE = V GE
I C = 5A , V GE = 10V
2.0
--
3.0
4.7
4.0
5.5
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 10V , V GE = 0V,
f = 1MHz
--
--
--
780
130
70
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Q g
Q ge
Q gc
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V CC = 600 V
I C = 5A
R G =10 ?
V GE = 10V
Inductive Load
T C = 25 ° C
V CE = 600 V, I C = 5A
V GE = 10V
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
15
30
70
190
100
290
30
3
15
--
--
50
120
--
--
580
45
5
25
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
SGF5N150UF Rev. B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH15N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P |
| SGH20N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P |
| SGH23N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P |
| SGH30N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| SGH40N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGF80N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGF80N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGF9 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:For C to X-band Local Oscillator and Amplifier |
| SGFEB1024-120-NA | 制造商:TRANSITION NETWORKS 功能描述:Transition Stand-Alone - Media converter - 10Base-T, 1000Base-LX, 100Base-TX, 10 |
| SGFHCB-36M0000000 | 功能描述:VCXO振荡器 36MHz 100ppm 0C +70C RoHS:否 制造商:Fox 封装 / 箱体:5 mm x 3.2 mm 频率:19.2 Mhz 频率稳定性:2.5 PPM 输出格式: 封装:Reel 电源电压:3 V 端接类型:SMD/SMT 尺寸:3.2 mm W x 5 mm L x 1.5 mm H 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。