- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SGH23N60UFDTU (Fairchild Semiconductor)IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SGH23N60UFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT HI PERFORM 600V 12A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 23A |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
1200
Common Emitter
200
Common Emitter
1000
Cies
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
100
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 12A
T C = 25 ℃
Ton
T C = 125 ℃
800
600
400
Coes
Tr
200
0
Cres
10
1
10
30
1
10
100
200
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 12A
1000
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Toff
Eoff
Eon
Eon
Tf
100
50
Toff
Tf
100
30
Eoff
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 12A
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
1
10
100
200
1
10
100
200
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
200
Common Emitter
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
1000
Common Emitter
100
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 23 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
V CC = 300V, V GE = ± 15V
R G = 23 ?
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
Toff
Tf
Ton
Toff
100
10
Tr
50
Tf
4
8
12
16
20
24
4
8
12
16
20
24
Collector Current, I C [A]
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
?2000 Fairchild Semiconductor International
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
SGH23N60UFD Rev. A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGH30N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 30A TO-3P |
| SGH40N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH40N60UFTU | IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P |
| SGH80N60UFDTU | IGBT HI PERFORM 100V 28A TO-3P |
| SGH80N60UFTU | IGBT HI PERFORM 00V 40A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH23N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH25N120 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH25N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH25N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH30N60RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。