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参数资料
| 型号： | SGL1-60 |
| 厂商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| 封装： | PLASTIC, MINIMELF-2 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | SGL1-60 |
Surface mount diode
Schottky barrier rectifiers
diodes
SGL 1-20...SGL 1-100
Forward Current: 1 A
Reverse Voltage: 20 to 100 V
Features
Mechanical Data
1)
2)
3)
4)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
SGL 1-20 ... SGL 1-100
1
08-03-2007 MAM
by SEMIKRON
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGL34-20 | 0.8 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-60P | 0.8 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-50P | 0.8 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-40 | 0.8 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| SGL34-30 | 0.8 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGL160N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
| SGL160N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultrafast IGBT |
| SGL160N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGL160N60UFDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT ULTRAFAST 600V 160A TO-264 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT, ULTRAFAST, 600V, 160A, TO-264 |
| SGL160N60UFDTU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR TYPE:IGBT |
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