- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录507 > SI1033X-T1-GE3 (Vishay Siliconix)MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SI1033X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 145MA SC89 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 145mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 欧姆 @ 150mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1033X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( ? )
8 at V GS = - 4.5 V
12 at V GS = - 2.5 V
15 at V GS = - 1.8 V
20 at V GS = - 1.5 V
I D (mA)
- 150
- 125
- 100
- 30
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET: 1.5 V Rated
? High-Side Switching
? Low On-Resistance: 8 ?
? Low Threshold: 0.9 V (typ.)
? Fast Switching Speed: 45 ns (typ.)
? 1.5 V Operation
? Gate-Source ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-89
BENEFITS
S1
1
6
D1
?
Ease in Driving Switches
?
Low Offset (Error) Voltage
G1
2
5
G2
Marking Code: K
?
Low-Voltage Operation
?
High-Speed Circuits
D2
3
4
S2
?
Low Battery Voltage Operation
Top View
Ordering Information: Si1033X-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
? Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 20
±5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
- 155
- 110
- 650
- 145
- 105
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
- 450
- 380
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
ESD
280
145
- 55 to 150
2000
250
130
mW
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71428
S10-2544-Rev. C, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1037X-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 770MA SC-75A |
| SI1046R-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3 |
| SI1046X-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 606MA SC89-3 |
| SI1050X-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6 |
| SI1051X-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| Si1034-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 128KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1034-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| SI1034CX | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| Si1034CX-T1-GE3 | 制造商:Vishay 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
| SI1034X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。