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参数资料
| 型号： | SI1072X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SC89 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 93 毫欧 @ 1.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1072X
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( ? )
0.093 at V GS = 10 V
0.129 at V GS = 4.5 V
I D (A)
1.3 a
1.2
Q g (Typ.)
5.41
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Devices
SC-89 (6-LEADS)
D
1
6
D
Markin g Code
D
2
5
D
V
XX
Lot Tracea b ility
and Date Code
G
3
4
S
Part # Code
Top V ie w
Orderin g Information: Si1072X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwis e noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
Unit
V
0.2
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
L = 0.1 mH
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I AS
E AS
I S
P D
T J , T stg
1.3 b, c
1.03 b, c
6
8
3.2
b, c
0.236 b, c
0.151 b, c
- 55 to 150
A
mJ
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
t ?? 5 s
Steady State
R thJA
440
540
530
650
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
Document Number: 73892
S10-2542-Rev. E, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1073X | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1073X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1073X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.98A 0.236W 173 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1077X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 78mOhm@4.5V 8A P-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| Si1080-A-GM | 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:RF Microcontrollers - MCU 16kB 768B RAM +20dBm prgm XCVR Pro2 |
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