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参数资料
| 型号： | SI1300BDL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V SC-70-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 250mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.84nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 35pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1300BDL-T1-GE3DKR |
Si1300BDL
Vishay Siliconix
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
I D (A) a
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
20
0.85 at V GS = 4.5 V
1.08 at V GS = 2.5 V
0.4
0.35
0.335
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SC-70 (3-LEADS)
D
G
1
Marking Code
S
2
3
D
KE
XX
Lot Traceability
and Date Code
G
Part # Code
Top View
Ordering Information: Si1300BDL-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1300BDL-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
±8
0.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
0.32
0.37 b, c
0.30 b, c
0.5
0.18
0.14 b, c
0.2
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
0.14
0.19
W
T A = 70 °C
0.12 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ? 5s
Steady State
R thJA
R thJF
540
450
670
570
°C/W
Notes:
a. Based on T C = 25 °C.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 360 °C/W.
Document Number: 73557
S11-2000-Rev. D, 10-Oct-11
www.vishay.com
1
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1302DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3 |
| SI1303DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| SI1305DL-T1-GE3 | MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 |
| SI1307EDL-T1-GE3 | MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3 |
| SI1401EDH-T1-GE3 | MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1300DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1300DL-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1301DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1301DL-T1 | 功能描述:MOSFET Use 781-SI1303DL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1302DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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