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参数资料
| 型号： | SI1303DL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1303DL
Vishay Siliconix
P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( Ω )
0.430 at V GS = - 4.5 V
0.480 at V GS = - 3.6 V
0.700 at V GS = - 2.5 V
I D (A)
- 0.72
- 0.68
- 0.56
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 2.5 V Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
G
1
Marking Code
3
D
LA
X
Lot Tracea b ility
and Date Code
S
2
Part # Code
Top V ie w
Orderin g Information: Si1303DL-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si1303DL-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 20
± 12
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 0.72
- 0.58
- 2.5
- 0.67
- 0.54
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a
I S
- 0.28
- 0.24
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
0.34
0.22
- 55 to 150
0.29
0.19
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
315
360
285
375
430
340
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71075
S10-0110-Rev. F, 18-Jan-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI1303EDL-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.72A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI1304BDL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1304BDL_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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