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参数资料
| 型号： | SI1303DL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Information
Vishay Siliconix
SC 70:
3 LEADS
MILLIMETERS
INCHES
3
E 1 E
Dim
A
A 1
Min
0.90
–
Nom
–
–
Max
1.10
0.10
Min
0.035
–
Nom
–
–
Max
0.043
0.004
1
e
e 1
b
2
A 2
b
c
D
0.80
0.25
0.10
1.80
–
–
–
2.00
1.00
0.40
0.25
2.20
0.031
0.010
0.004
0.071
–
–
–
0.079
0.039
0.016
0.010
0.087
D
c
E
E 1
1.80
1.15
2.10
1.25
2.40
1.35
0.071
0.045
0.083
0.049
0.094
0.053
A 2
A
e
0.65BSC
0.026BSC
L
e 1
L
1.20
0.10
1.30
0.20
1.40
0.30
0.047
0.004
0.051
0.008
0.055
0.012
0.08
c
A 1
7 _ Nom
7 _ Nom
ECN: S-03946—Rev. C, 09-Jul-01
DWG: 5549
Document Number: 71153
06-Jul-01
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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