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参数资料
| 型号： | SI1303DL-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 670mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 430 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.2nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 3-Lead
0.025
(0.622)
0.022
(0.559)
0.027
(0.686)
0.071
(1.803)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72601
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
17
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI1303EDL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.72A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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