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参数资料
| 型号： | SI1401EDH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH F-D 12V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 8V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1401EDH-T1-GE3DKR |
New Product
Si1401EDH
Vishay Siliconix
P-Channel 12 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( ? )
0.034 at V GS = - 4.5 V
I D (A) a
-4
Q g (Typ.)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
- 12
0.046 at V GS = - 2.5 V
0.070 at V GS = - 1.8 V
0.110 at V GS = - 1.5 V
-4
-4
-4
14.1 nC
? Typical ESD Performance 1500 V
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
- Cellular Phone
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
? Load Switch, PA Switch and Battery Switch for Portable
Devices
S
D
1
6
D
- DSC
- Portable Game Console
- MP3
D
2
5
D
Markin g Code
- GPS
G
G
3
4
S
Part # code
BPX
XXX
R
Top V ie w
Lot Tracea b ility
and Date code
D
Orderin g Information: Si1401EDH-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 12
± 10
- 4 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 4 a
- 4 a, b, c
- 4 a, b, c
- 25
- 2.3
- 1.3 b, c
2.8
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.8
1.6 b, c
W
T A = 70 °C
1.0 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ? 5s
Steady State
R thJA
R thJF
60
34
80
45
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.
Document Number: 70080
S10-1537-Rev. A, 19-Jul-10
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI1402DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SI1403BDL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1403BDL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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