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参数资料
| 型号： | SI1471DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 445pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.78W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1471DH-T1-GE3DKR |
Si1471DH
Vishay Siliconix
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 30
R DS(on) ( Ω )
0.100 at V GS = - 10 V
0.120 at V GS = - 4.5 V
0.175 at V GS = - 2.5 V
I D (A) c
- 2.7
- 2.7
- 2.7
Q g (Typ.)
6.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
? Load Switch for Portable Devices
D
1
6
D
Marking Code
S
BN XX
D
2
5
D
Lot Traceability
and Date Code
G
G
3
4
S
Part #
Code
Top View
Ordering Information: Si1471DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1471DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 30
± 12
- 2.7 c
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source-Drain Diode Current a, b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 2.7 c
- 2.8 a, b
- 2.3 a, b
-8
- 2.3
- 1.25 a, b
2.78
A
Maximum Power Dissipation a, b
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
1.78
1.5 a, b
W
T A = 70 °C
1 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) c, d
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, d
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
60
34
80
45
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 5 s.
c. Package limited.
d. Maximum under steady state conditions is 125 °C/W.
Document Number: 74468
S10-0646-Rev. C, 22-Mar-10
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1472DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1472DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 5.6A 2.8W 57mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1473DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI1473DH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 2.7A 2.78W 100 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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