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参数资料
| 型号： | SI1471DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V SC-70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 445pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.78W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1471DH-T1-GE3DKR |
Si1471DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8
V GS = 10 V thr u 3 V
2.0
1.6
6
1.2
4
2
2 V
0. 8
0.4
25 °C
T C = 125 °C
- 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
8 00
640
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.20
V GS = 2.5 V
0.15
0.10
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
4 8 0
320
160
C rss
C iss
C oss
0.05
0
0
2
4
6
8
10
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 2.5 A
V DS = 10 V
1.4
I D = 3 A
V GS = 10 V
6
V DS = 15 V
1.2
V GS = 4.5 V
4
2
0
V DS = 20 V
1.0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74468
S10-0646-Rev. C, 22-Mar-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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